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太赫茲晶體ZnTe

作為一種典型的LI-VI族化合物半導(dǎo)體,ZnTe(鋅碲)單晶展現(xiàn)出了出色的非線性光學(xué)性能和電光性質(zhì)。

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太赫茲晶體ZnTe

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作為一種典型的LI-VI族化合物半導(dǎo)體,ZnTe(鋅碲)單晶展現(xiàn)出了出色的非線性光學(xué)性能和電光性質(zhì)。它的非線性光學(xué)系數(shù)和電光系數(shù)均較高,這使得ZnTe單晶能夠有效地與波長約為800nm的飛秒激光進(jìn)行相位匹配。這種相位匹配是實現(xiàn)高效太赫茲波生成和探測的關(guān)鍵。

特別值得注意的是,ZnTe單晶能夠在0.1-3THz的寬波段范圍內(nèi)有效地輻射和探測太赫茲脈沖。這一特性使得其在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。例如,在商業(yè)太赫茲系統(tǒng)中,ZnTe單晶的這些特性可用于提高系統(tǒng)的性能和靈敏度。在強(qiáng)場太赫茲產(chǎn)生領(lǐng)域,它可以用來生成強(qiáng)大的太赫茲脈沖,這對于探索新的物理現(xiàn)象和開發(fā)新技術(shù)至關(guān)重要。

此外,ZnTe單晶在太赫茲成像技術(shù)中也具有重要應(yīng)用。由于其能夠在寬波段范圍內(nèi)進(jìn)行有效的太赫茲波探測,它可以用于開發(fā)高分辨率的太赫茲成像系統(tǒng),這對于安全檢查、生物醫(yī)學(xué)成像以及材料科學(xué)研究等多個領(lǐng)域都是非常重要的。

最后,在寬譜太赫茲探測方面,ZnTe單晶的應(yīng)用也十分廣泛。其寬波段的探測能力使得它可以用于環(huán)境監(jiān)測、化學(xué)分析、天文觀測等多種場合,特別是在那些需要高靈敏度和寬頻帶探測的應(yīng)用中。

綜上所述,ZnTe單晶作為一種多功能的半導(dǎo)體材料,在未來的科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中都有著極為廣闊的應(yīng)用前景。

主要特點/優(yōu)勢:太赫茲晶體ZnTe

  • 應(yīng)用于太赫茲光譜檢測和成像,是最廣泛用于太赫茲時域光譜系統(tǒng)產(chǎn)生和探測太赫茲的電光晶體;
  • 應(yīng)用于純綠光發(fā)光二極管LED, 激光二極管;
  • 作為CdTe太陽能電池的背接觸層,CZT薄膜和襯底的緩沖層,和一些其他襯底。

規(guī)格參數(shù)

基本特征  
晶體結(jié)構(gòu) 立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)
晶格參數(shù) 6.106 A
空間群 F-43m
電光系數(shù) 4.04 pm·V¹
二階非線性系數(shù) 1.6×10? esu
折射率 2.7(800 nm)/3.14(300 um)
探測范圍 0.1-3THz

產(chǎn)品應(yīng)用:

太赫茲時域光譜儀和無損檢測系統(tǒng)是一種先進(jìn)的技術(shù),專門用于分析和檢測特種涂層和多種復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和完整性。這些系統(tǒng)利用太赫茲波的獨(dú)特特性,能夠穿透非導(dǎo)電材料,如航天器的熱防護(hù)結(jié)構(gòu)、發(fā)動機(jī)的熱障涂層、以及戰(zhàn)機(jī)的隱身涂層,提供關(guān)鍵的內(nèi)部信息而不損害被測物體。

太赫茲波位于微波和紅外波段之間,具有非常好的穿透能力和低能量特性,因此非常適合用于復(fù)雜材料和系統(tǒng)的無損檢測。太赫茲時域光譜儀可以提供關(guān)于材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息,包括缺陷、裂紋、分層、水分含量和密度變化等。這對于評估航天器、飛機(jī)和其他高性能系統(tǒng)中使用的特殊材料的完整性至關(guān)重要。

此外,這種技術(shù)在檢測過程中不僅速度快,而且非侵入性,不會對被測材料造成物理損傷。這使得太赫茲時域光譜儀和無損檢測系統(tǒng)成為保障關(guān)鍵高技術(shù)產(chǎn)品質(zhì)量和安全的重要工具,尤其在航空航天、國防和汽車行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用前景。

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參數(shù)
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