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InSb 探測器

由InfraRed Associates, Inc.提供的光伏銦銻探測器是使用單晶材料通過臺地技術(shù)形成的p-n結(jié)。

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產(chǎn)品描述
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InSb 探測器

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此過程產(chǎn)生最高質(zhì)量的光電二極管,其在1 μm到5.5 μm波長區(qū)域展現(xiàn)出卓越的電光性能。這些二極管是背景受限(BLIP)探測器,其性能可以通過空間(冷卻的FOV停止)或光譜(冷卻的干涉濾波器)來減少背景以得到增強。

主要特點/優(yōu)勢:InSb探測器

  • 醫(yī)學熱成像
  • 熱成像
  • 光譜學
  • 輻射測量
  • 研究
  • 紅外顯微鏡
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規(guī)格參數(shù):

標準光伏銻化銦探測器
型號 FOV=60 O, (λpk,1000,1) 標準包裝 標準窗口
有效面積元件(mm) D 響應度 電阻(Rd) 電容(Cd) 短路電流lsc(μA) 開路電壓 Vcc (mV) 操作溫度
(cmHz1/2W-1) (λp) (Ω) (pF) (K)
IS-0.25 q.25/.25x.25 > 1.0E11 > 3 A/W 1000K 70 0.9 80 77 MSL-8 Sapphire
to MSL-12
IS-0.5 q.5/.5x.5 500K 100 2 125 or
IS-1.0 q1/1x1 300K 350 8   MDL-8
IS-2.0 q2/2x2 100K 1500 30   MDL-12
MSL-8 側(cè)視金屬露點計 - 8小時保溫時間
MSL-12 側(cè)視金屬露點計 - 12小時保溫時間
MDL-8 下視金屬露點計 - 8小時保溫時間
MDL-12 下視金屬露點計 - 12小時保溫時間

產(chǎn)品應用:

光伏效應是當適當波長的輻射入射到p-n結(jié)上時,跨越p-n結(jié)產(chǎn)生電位差。當光子通量照射到結(jié)時,如果光子能量超過禁止帶能量,就會形成電子-空穴對。

場效應會將電子從p區(qū)帶到n區(qū),同時將空穴從n區(qū)帶到p區(qū)。這個過程使p區(qū)變?yōu)檎?,n區(qū)變?yōu)樨?,并在外部電路中產(chǎn)生電流。下面表示了InSb探測器的等效電路。這由并聯(lián)的信號和噪聲電流發(fā)生器以及電阻和電容項組成。

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突出優(yōu)勢

當背景輻射通過在活性元件中產(chǎn)生恒定輸出來移動操作曲線時,應對探測器進行反向偏置,使其回到最佳操作點:零電壓。 這可以通過使用匹配的前置放大器來實現(xiàn),例如我們的IAP-1000IS。探測器前置放大器系統(tǒng)在探測器噪聲受限模式下工作。需要雙輸出供電。

我們提供根據(jù)客戶規(guī)格設計的定制配置和陣列。此外,我們還可以提供與各種冷卻技術(shù)配合使用的定制金屬和玻璃真空瓶。請與我們聯(lián)系以討論您的特定需求。

型號
參數(shù)
下載
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