雙晶 KD*P 普克爾盒
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標(biāo)準(zhǔn)和緊湊的選項(xiàng) 非常適合較低電壓下的Q開關(guān)和脈沖選取 |
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與半波電壓取決于長(zhǎng)寬比（電極之間）的橫向模式普克爾斯盒不同，縱向場(chǎng)盒的半波電壓對(duì)于給定波長(zhǎng)是固定的，并且僅隨盒幾何形狀而微弱變化。這導(dǎo)致大多數(shù)應(yīng)用的運(yùn)行電壓非常高（例如，1064nm 的電壓> 6kV）。顯然，一種解決方案是使用橫模器件，對(duì)于某些應(yīng)用來(lái)說這是合適的。然而，在許多情況下，只有縱向場(chǎng)器件才能提供正確的光學(xué)性能（特別是在需要更高消光比的情況下）。解決方案是結(jié)合兩個(gè)普克爾斯盒，當(dāng)由公共電壓源驅(qū)動(dòng)時(shí)，每個(gè)盒提供一半的總旋轉(zhuǎn)。這種方法的邏輯結(jié)論是將兩種晶體組合在一個(gè)封裝中。這減少了損耗、整體尺寸、元件數(shù)量以及對(duì)準(zhǔn)和設(shè)置時(shí)間（這將成為制造商的工作?。?。結(jié)果是復(fù)合器件以大約兩倍的負(fù)載電容為代價(jià)將所需的驅(qū)動(dòng)電壓減半。 與我們所有其他縱向普克爾斯盒一樣，它們可以采用一個(gè)、兩個(gè)或四個(gè)端子配置（如上圖所示）提供，并且可以提供填充晶體和窗口之間空間的折射率匹配流體（首選）或干燥，晶體上有或沒有抗反射涂層。如果需要控制多次反射引起的干擾效應(yīng)，可以指定傾斜窗口和/或楔形晶體（后者可能會(huì)收取少量費(fèi)用）。 我們可以生產(chǎn)任何孔徑尺寸的兩個(gè)晶體普克爾盒，甚至可達(dá) 25 毫米，盡管 8 毫米、10 毫米和 12 毫米是最常見的。我們還在緊湊型普克爾斯盒系列中制造兩種晶體器件，以及單晶和雙晶版本的超快普克爾斯盒 (UPC)。如果您有任何特殊要求，但您在此處看到的內(nèi)容無(wú)法滿足，請(qǐng)聯(lián)系我們。 |
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主要特點(diǎn)/優(yōu)勢(shì)：雙晶 KD*P 普克爾盒 |
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規(guī)格參數(shù) |
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產(chǎn)品應(yīng)用： |
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