作為一種典型的LI-VI族化合物半導(dǎo)體，ZnTe（鋅碲）單晶展現(xiàn)出了出色的非線性光學(xué)性能和電光性質(zhì)。
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太赫茲晶體ZnTe
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太赫茲晶體ZnTe |
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作為一種典型的LI-VI族化合物半導(dǎo)體，ZnTe（鋅碲）單晶展現(xiàn)出了出色的非線性光學(xué)性能和電光性質(zhì)。它的非線性光學(xué)系數(shù)和電光系數(shù)均較高，這使得ZnTe單晶能夠有效地與波長(zhǎng)約為800nm的飛秒激光進(jìn)行相位匹配。這種相位匹配是實(shí)現(xiàn)高效太赫茲波生成和探測(cè)的關(guān)鍵。 特別值得注意的是，ZnTe單晶能夠在0.1-3THz的寬波段范圍內(nèi)有效地輻射和探測(cè)太赫茲脈沖。這一特性使得其在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。例如，在商業(yè)太赫茲系統(tǒng)中，ZnTe單晶的這些特性可用于提高系統(tǒng)的性能和靈敏度。在強(qiáng)場(chǎng)太赫茲產(chǎn)生領(lǐng)域，它可以用來(lái)生成強(qiáng)大的太赫茲脈沖，這對(duì)于探索新的物理現(xiàn)象和開(kāi)發(fā)新技術(shù)至關(guān)重要。 此外，ZnTe單晶在太赫茲成像技術(shù)中也具有重要應(yīng)用。由于其能夠在寬波段范圍內(nèi)進(jìn)行有效的太赫茲波探測(cè)，它可以用于開(kāi)發(fā)高分辨率的太赫茲成像系統(tǒng)，這對(duì)于安全檢查、生物醫(yī)學(xué)成像以及材料科學(xué)研究等多個(gè)領(lǐng)域都是非常重要的。 最后，在寬譜太赫茲探測(cè)方面，ZnTe單晶的應(yīng)用也十分廣泛。其寬波段的探測(cè)能力使得它可以用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、化學(xué)分析、天文觀測(cè)等多種場(chǎng)合，特別是在那些需要高靈敏度和寬頻帶探測(cè)的應(yīng)用中。 綜上所述，ZnTe單晶作為一種多功能的半導(dǎo)體材料，在未來(lái)的科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中都有著極為廣闊的應(yīng)用前景。 |
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主要特點(diǎn)/優(yōu)勢(shì)：太赫茲晶體ZnTe |
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規(guī)格參數(shù) |
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產(chǎn)品應(yīng)用： |
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太赫茲時(shí)域光譜儀和無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)是一種先進(jìn)的技術(shù)，專門(mén)用于分析和檢測(cè)特種涂層和多種復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和完整性。這些系統(tǒng)利用太赫茲波的獨(dú)特特性，能夠穿透非導(dǎo)電材料，如航天器的熱防護(hù)結(jié)構(gòu)、發(fā)動(dòng)機(jī)的熱障涂層、以及戰(zhàn)機(jī)的隱身涂層，提供關(guān)鍵的內(nèi)部信息而不損害被測(cè)物體。 太赫茲波位于微波和紅外波段之間，具有非常好的穿透能力和低能量特性，因此非常適合用于復(fù)雜材料和系統(tǒng)的無(wú)損檢測(cè)。太赫茲時(shí)域光譜儀可以提供關(guān)于材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息，包括缺陷、裂紋、分層、水分含量和密度變化等。這對(duì)于評(píng)估航天器、飛機(jī)和其他高性能系統(tǒng)中使用的特殊材料的完整性至關(guān)重要。 此外，這種技術(shù)在檢測(cè)過(guò)程中不僅速度快，而且非侵入性，不會(huì)對(duì)被測(cè)材料造成物理?yè)p傷。這使得太赫茲時(shí)域光譜儀和無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)成為保障關(guān)鍵高技術(shù)產(chǎn)品質(zhì)量和安全的重要工具，尤其在航空航天、國(guó)防和汽車(chē)行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用前景。 |
