高功率下高重復(fù)頻率Q開關(guān)與脈沖抽取用BBO電光調(diào)制器
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BBO普克爾盒
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BBO普克爾盒
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BBO（β-鋇硼酸鹽）電光調(diào)制器憑借其出色的光學(xué)性能和卓越的功率承受能力，成為高重復(fù)頻率Q開關(guān)和脈沖抽取系統(tǒng)中的理想選擇。該產(chǎn)品具備優(yōu)異的透過率（>98.5%@1064nm）和寬廣的工作波段（220–2000nm），可廣泛適用于多種激光波長和系統(tǒng)需求。 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品提供2至8mm多種通光口徑，并可擴(kuò)展至12mm。典型晶體尺寸為3×3×20mm時(shí)，其半波電壓約為7kV，消光比優(yōu)于30dB，具有穩(wěn)定可靠的電光調(diào)制性能。產(chǎn)品電容低至5–10pF，能夠快速響應(yīng)高速電信號，適用于數(shù)十千赫茲甚至兆赫茲級別的調(diào)制應(yīng)用。 |
BBO晶體具有極高的損傷閾值（>1GW/cm²@1064nm, 10ns），即使在高能量密度激光系統(tǒng)中也能穩(wěn)定運(yùn)行。針對更高功率或更高重復(fù)頻率場景，提供水冷版本，進(jìn)一步提升散熱能力與系統(tǒng)穩(wěn)定性。
無論是科研激光系統(tǒng)還是工業(yè)超快激光應(yīng)用，BBO電光調(diào)制器都能以其高對比度、高穩(wěn)定性和高可靠性，為用戶帶來卓越的調(diào)制性能。
| 主要特點(diǎn)/優(yōu)勢： |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域： |
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| 規(guī)格參數(shù)： |
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| 透過率（如1064nm） | >98.5% |
| 可用口徑 | 2、3、4、5、6、7、8mm（標(biāo)準(zhǔn)）* |
| 半波電壓（@1064nm） | 約7kV（晶體尺寸3x3x20mm）** |
| 消光比 | 典型 >30dB |
| 電容 | 典型 5~10pF |
| 損傷閾值（@1064nm, 10ns） | >1GW/cm² |
| 可用波長范圍 | 220nm – 2000nm *** |
備注：
最大口徑可達(dá)12mm，但工作電壓受限。例如，即使在四分之一波長操作下，也可能需采用雙晶體結(jié)構(gòu)。
** 對于不同尺寸的晶體，電壓與口徑成正比，與長度成反比。
*** 對于更長波長，可能因電壓限制而需減少口徑。
水冷版本
水冷結(jié)構(gòu)使BBO電光調(diào)制器的性能提升到更高水平。使用水冷的兩個(gè)主要原因是：
更高的重復(fù)頻率：
BBO的介電損耗通常高于RTP，而其較高的工作電壓又導(dǎo)致更多電能被注入晶體。在1MHz及以上頻率下，我們采用了專門設(shè)計(jì)的增強(qiáng)型熱管理封裝，可在高頻下保持與低頻相同的對比性能。適當(dāng)?shù)乃淇梢栽诔^1MHz時(shí)進(jìn)一步增強(qiáng)性能。
更高的光功率處理能力：
標(biāo)準(zhǔn)封裝可承受100W甚至更高的平均功率（視應(yīng)用而定）。若功率進(jìn)一步提升，則強(qiáng)烈建議對晶體進(jìn)行水冷。我們可提供從3mm至8mm口徑的單晶體、雙晶體甚至三晶體結(jié)構(gòu)，并可擴(kuò)展至更大尺寸。
水冷封裝能夠提供晶體的對稱散熱，并冷卻光學(xué)通光口，確保在高功率下保持性能穩(wěn)定。
