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RTP普克爾盒

在電光領(lǐng)域,很少有機(jī)會(huì)開(kāi)發(fā)出真正獨(dú)特的東西。然而,這樣的事件之一就是新型電光材料 RTP 的出現(xiàn)。您可能會(huì)問(wèn)這種材料有什么特別之處嗎?首先,它對(duì)沿著 X 方向或沿著電光更有利的 Y 方向(Z 方向上的電場(chǎng))傳播的光具有很大的電光效應(yīng)。它具有從 400 nm 左右到 4 µm 以上的良好光學(xué)透明度,對(duì)于腔內(nèi)激光操作非常重要,它具有高抗光學(xué)損傷能力,1064 nm 下 1 ns 脈沖的功率處理能力約為 1GW/cm 2 。

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RTP普克爾盒

用于高重復(fù)率Q開(kāi)關(guān)和脈沖選取的RTP普克爾斯盒

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在電光領(lǐng)域,很少有機(jī)會(huì)開(kāi)發(fā)出真正獨(dú)特的東西。然而,這樣的事件之一就是新型電光材料 RTP 的出現(xiàn)。您可能會(huì)問(wèn)這種材料有什么特別之處嗎?首先,它對(duì)沿著 X 方向或沿著電光更有利的 Y 方向(Z 方向上的電場(chǎng))傳播的光具有很大的電光效應(yīng)。它具有從 400 nm 左右到 4 µm 以上的良好光學(xué)透明度,對(duì)于腔內(nèi)激光操作非常重要,它具有高抗光學(xué)損傷能力,1064 nm 下 1 ns 脈沖的功率處理能力約為 1GW/cm 2 。

到目前為止一切都很好,但這種材料與其他材料的真正區(qū)別在于它基本上完全沒(méi)有壓電諧振,一直到 200kHz 甚至可能更高。這至少是我們測(cè)量能力的驅(qū)動(dòng)程序限制范圍,我們沒(méi)有理由懷疑它的性能會(huì)超出這個(gè)范圍(驅(qū)動(dòng)程序允許)。這種卓越的性能為激光器制造商開(kāi)辟了新的可能性,以前使用 BBO 電光 Q 開(kāi)關(guān)僅限于 30kHz 操作,或者被迫使用速度慢得多的聲光 Q 開(kāi)關(guān)(具有較長(zhǎng)的固有 Q 開(kāi)關(guān)脈沖長(zhǎng)度)在更高的頻率?,F(xiàn)在可以突破 30kHz 的障礙,而不會(huì)受到過(guò)長(zhǎng)的脈沖長(zhǎng)度的影響。

與 BBO 的比較當(dāng)然是不可避免的,我們不希望給任何人這樣的印象:RTP 是所有激光應(yīng)用的萬(wàn)能靈丹妙藥。相反,我們相信,通過(guò)了解其局限性,它可以提供以前電光 Q 開(kāi)關(guān)無(wú)法達(dá)到的性能。當(dāng)用于 Q 開(kāi)關(guān)時(shí),RTP 和 BBO 之間的主要區(qū)別與 Q 開(kāi)關(guān)能夠?qū)嶋H使用的平均功率水平有關(guān)。這并不是說(shuō)它會(huì)遭受光學(xué)損傷,遠(yuǎn)非如此,它的抗損傷能力比大多數(shù) EO 材料都要好,并且只有 BBO 才能真正優(yōu)于它。這更多是由于 Q 開(kāi)關(guān)本身的實(shí)現(xiàn)性質(zhì)造成的。

與 BBO 中的光傳播沿著材料的光軸不同,在 RTP 中,光傳播軸要么沿著 X 軸,要么沿著 Y 軸,這兩個(gè)軸都表現(xiàn)出雙折射。補(bǔ)償這一問(wèn)題的常用方法是使用一對(duì)光學(xué)厚度匹配的晶體,然后將它們彼此成 90° 定向,使得沿 X 軸(例如在第一個(gè)晶體中)偏振的光隨后沿 X 軸偏振。第二個(gè)晶體的 Z 軸。第一個(gè)晶體中的“慢”光線隨后變成第二個(gè)晶體中的“快”光線,因此理論上在復(fù)合晶體對(duì)中抵消了總靜態(tài)雙折射。然而,這一過(guò)程并不完美,即使使用最匹配的晶體,當(dāng)高光功率通過(guò)晶體時(shí),也會(huì)經(jīng)歷雙折射抵消的損失。這是因?yàn)榫w中雖然很小但仍然顯著的光學(xué)吸收,導(dǎo)致晶體局部加熱的微小差異。這會(huì)擾亂兩個(gè)晶體的補(bǔ)償,并且除非使用某種動(dòng)態(tài)可變偏置裝置,否則將會(huì)發(fā)生消光損失,從而降低激光器性能。因此,我們認(rèn)為 RTP 最適合中等平均功率激光源,其中高重復(fù)率和短 Q 開(kāi)關(guān)脈沖長(zhǎng)度比高平均功率更重要。這會(huì)擾亂兩個(gè)晶體的補(bǔ)償,并且除非使用某種動(dòng)態(tài)可變偏置裝置,否則將會(huì)發(fā)生消光損失,從而降低激光器性能。因此,我們認(rèn)為 RTP 最適合中等平均功率激光源,其中高重復(fù)率和短 Q 開(kāi)關(guān)脈沖長(zhǎng)度比高平均功率更重要。這會(huì)擾亂兩個(gè)晶體的補(bǔ)償,并且除非使用某種動(dòng)態(tài)可變偏置裝置,否則將會(huì)發(fā)生消光損失,從而降低激光器性能。因此,我們認(rèn)為 RTP 最適合中等平均功率激光源,其中高重復(fù)率和短 Q 開(kāi)關(guān)脈沖長(zhǎng)度比高平均功率更重要。

相對(duì)于 BBO 的一大優(yōu)勢(shì)當(dāng)然是更高的電光效應(yīng)。通常,3mm 孔徑 BBO 電池在 1064nm 處的 BBO 半波電壓約為 7kV,而同等尺寸的 RTP 電池僅為 1,300V。由于 RTP 電池的電容大致相似,因此 RTP 電池的功耗僅略高于 BBO 電池的十分之一。

與所有新材料一樣,我們鼓勵(lì)用戶嘗試 RTP,以找出它在現(xiàn)實(shí)世界系統(tǒng)中的優(yōu)勢(shì)和局限性。

主要特點(diǎn)/優(yōu)勢(shì):RTP 普克爾盒

  • 橫向電場(chǎng)
  • 雙折射補(bǔ)償設(shè)計(jì)
  • 最大重復(fù)率達(dá)到
  • 1MHz用于脈沖選擇和200kHz用于Q開(kāi)關(guān)
  • 高峰值功率處理
  • 低光學(xué)損耗
  • 標(biāo)準(zhǔn)直徑35毫米封裝

規(guī)格參數(shù)

范圍 價(jià)值
1064nm 傳輸 >98.5 - 99.0%
可用光圈 3、4,6 和 9 毫米
1064nm 處的典型半波電壓(X 切) 分別為 1,300V、1,750V、2,600V 和 3,500V
對(duì)比度 >20dB(可以~30dB)
接受角 >1°
傷害閾值 1064nm 處>600MW/cm 2 ( t = 10ns)
常用波長(zhǎng): 650-1000nm(BBAR)、1030/1064nm、1550nm、1950nm
物理尺寸: 請(qǐng)參閱側(cè)邊欄中的界面圖

產(chǎn)品應(yīng)用:

除了高重復(fù)率 Q 開(kāi)關(guān)之外,RTP 泡克爾斯盒的另一個(gè)主要應(yīng)用是脈沖拾取。這是高重復(fù)源(通常是皮秒或飛秒鎖模激光器)從典型的 80-100MHz 降低到低得多的速率的地方。例如,這可以饋送到再生放大器的輸入或更好地適應(yīng)實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)速率。在某些情況下,應(yīng)用程序用于固定重復(fù),或者在其他情況下,所拾取的脈沖有更隨機(jī)的模式 - 兩者都是可能的。即使 RTP 泡克爾斯盒的功率要求適中,高速率下的脈沖拾取也可能需要高功率驅(qū)動(dòng)器。但是,我們可以推薦BME KG的司機(jī)德國(guó)人在高速率普克爾斯盒驅(qū)動(dòng)器方面擁有無(wú)與倫比的專(zhuān)業(yè)知識(shí),我們與他們一起展示了 20MHz 連續(xù)速率脈沖拾取系統(tǒng)。

我們還可以提供 RTP 泡克爾斯盒,其格式非常適合與快速 50Ω 阻抗脈沖驅(qū)動(dòng)器一起使用,以實(shí)現(xiàn)亞納秒上升時(shí)間應(yīng)用。

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3mm 孔徑 RTP 普克爾斯盒 100kHz 脈沖響應(yīng)

圖片由BME KG™提供。

3mm 孔徑 RTP 普克爾斯盒 1MHz 脈沖響應(yīng)

圖片由BME KG™提供。

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直通 RTP 普克爾斯盒

通過(guò)合適的驅(qū)動(dòng)器,我們的 RTP Pockels 盒可以產(chǎn)生亞納秒響應(yīng)。

 

Compact RTP Interface Drawing_00

RTP Q-switch Interface drawing_00

型號(hào)
參數(shù)
下載
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