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雙晶 KD*P 普克爾盒

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雙晶 KD*P 普克爾盒

標(biāo)準(zhǔn)和緊湊的選項(xiàng)

非常適合較低電壓下的Q開關(guān)和脈沖選取

IMG_256

與半波電壓取決于長寬比(電極之間)的橫向模式普克爾斯盒不同,縱向場盒的半波電壓對于給定波長是固定的,并且僅隨盒幾何形狀而微弱變化。這導(dǎo)致大多數(shù)應(yīng)用的運(yùn)行電壓非常高(例如,1064nm 的電壓> 6kV)。顯然,一種解決方案是使用橫模器件,對于某些應(yīng)用來說這是合適的。然而,在許多情況下,只有縱向場器件才能提供正確的光學(xué)性能(特別是在需要更高消光比的情況下)。解決方案是結(jié)合兩個(gè)普克爾斯盒,當(dāng)由公共電壓源驅(qū)動時(shí),每個(gè)盒提供一半的總旋轉(zhuǎn)。這種方法的邏輯結(jié)論是將兩種晶體組合在一個(gè)封裝中。這減少了損耗、整體尺寸、元件數(shù)量以及對準(zhǔn)和設(shè)置時(shí)間(這將成為制造商的工作?。?。結(jié)果是復(fù)合器件以大約兩倍的負(fù)載電容為代價(jià)將所需的驅(qū)動電壓減半。

與我們所有其他縱向普克爾斯盒一樣,它們可以采用一個(gè)、兩個(gè)或四個(gè)端子配置(如上圖所示)提供,并且可以提供填充晶體和窗口之間空間的折射率匹配流體(首選)或干燥,晶體上有或沒有抗反射涂層。如果需要控制多次反射引起的干擾效應(yīng),可以指定傾斜窗口和/或楔形晶體(后者可能會收取少量費(fèi)用)。

我們可以生產(chǎn)任何孔徑尺寸的兩個(gè)晶體普克爾盒,甚至可達(dá) 25 毫米,盡管 8 毫米、10 毫米和 12 毫米是最常見的。我們還在緊湊型普克爾斯盒系列中制造兩種晶體器件,以及單晶和雙晶版本的超快普克爾斯盒 (UPC)。如果您有任何特殊要求,但您在此處看到的內(nèi)容無法滿足,請聯(lián)系我們。

主要特點(diǎn)/優(yōu)勢:雙晶 KD*P 普克爾盒

  • 正常半電壓
  • 縱向電場
  • KD*P設(shè)計(jì)
  • 干式或充液式
  • 高功率處理
  • 高消光比:1000:1 低光學(xué)損耗 直徑35毫米和直徑50毫米封裝 低波前畸變

規(guī)格參數(shù)

范圍 表現(xiàn)
光圈 8毫米
波長范圍 0.3-1.2微米
半波電壓@1.06μm 3.75kV
最大電壓 8kV
光上升時(shí)間 <0.25納秒
對比度@1.06μm > 600:1
電容未端接 ?20pf
損傷閾值 Q 開關(guān) 600MW/cm 2
插入損耗 2%至3%
終止 HVBNC 或 M2.5 螺柱

產(chǎn)品應(yīng)用:

EM500M-2 Interface_00

Interface Drawing 2 terminal double cell_00

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